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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SSOP
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驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 25V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：16-SSOP-B
料号：P4-2600
包装： 2500个/ 卷带
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驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：3
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电压 - 电源：10V ~ 25V
输入类型：非反相
丝印：
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封装：16-SSOP-B
料号：P4-2601
包装： 2500个/ 卷带
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描述： 600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID
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封装：8-SOP
料号：P4-5452
包装： 2500个/ 卷带
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：半桥
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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封装：8-SOP
料号：P4-3202
包装： 2500个/ 卷带
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
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料号：P4-3530
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：高端
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电压 - 电源：2.7V ~ 5.5V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：5-HVSOF
料号：P4-3677
包装： 3000个/ 卷带
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
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替代：
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOP
料号：P4-5063
包装： 2500个/ 卷带
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:- *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5 ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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封装：20-SSOP-B
料号：P4-5244
包装： 2000个/ 散装
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 24HTSSOP
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:- *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5 ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:非反相 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：3V ~ 5.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：24-HTSSOP-B
料号：P4-5304
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:- *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5 ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:非反相 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:11.5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:125ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 24HTSSOP
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描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
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替代：
驱动配置：高压侧和低压侧
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 24V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：20-SSOP-BW
料号：P4-5526
包装： 2000个/ 卷带
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:- *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5 ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:非反相 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:11.5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:125ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧和低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，3.9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，3.9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧和低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7.5V ~ 14.5V 逻辑电压 :1.7V、1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：高压侧和低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-HTSOP-J
料号：P4-6211
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥10.791500
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可供数量:咨询
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 1CH 4A HIGH SPEED LOW-SIDE GATE
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:- *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5 ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:非反相 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:11.5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:125ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧和低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，3.9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，3.9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧和低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7.5V ~ 14.5V 逻辑电压 :1.7V、1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
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封装：5-SSOP
料号：P4-6221
包装： 3000个/ 卷带
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 100V VB 3.5A/4.5A PEAK CURRENT H
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:600mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:130µs，18µs 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :1V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:- *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5 ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:非反相 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:11.5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:125ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧和低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，3.9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，3.9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧和低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7.5V ~ 14.5V 逻辑电压 :1.7V、1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7.5V ~ 14.5V 逻辑电压 :1.7V、1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：7.5V ~ 14.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-HTSOP-J
料号：P4-6369
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥10.791500
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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